中华人民共和国最高人民法院
行 政 判 决 书

（2023）最高法知行终986号

上诉人（一审第三人、专利权人）：某有限公司。住所地：美利坚合众国加利福尼亚州。
代表人：克某，该公司副总裁兼法律顾问。

被上诉人（一审原告、无效宣告请求人）：某电脑贸易（上海）有限公司。住所地：中华人民共和国上海市中国（上海）自由贸易试验区。
法定代表人：威某，该公司董事长。

一审被告：国家知识产权局。住所地：中华人民共和国北京市海淀区蓟门桥西土城路6号。
法定代表人：申长雨，该局局长。
委托诉讼代理人：杜宇，该局审查员。
委托诉讼代理人：袁丽颖，该局审查员。

上诉人某有限公司（以下简称某甲公司）与被上诉人某电脑贸易（上海）有限公司（以下简称某乙公司）、一审被告国家知识产权局发明专利权无效行政纠纷一案，涉及专利权人为某甲公司、名称为“用于电阻式存储器的高速感测”的发明专利（以下简称本专利）。针对某乙公司就本专利权提出的无效宣告请求，国家知识产权局作出第42591号无效宣告请求审查决定（以下简称被诉决定），维持本专利权有效；某乙公司不服，向北京知识产权法院（以下简称一审法院）提起诉讼。一审法院于2023年3月23日作出（2020）京73行初3072号行政判决（以下简称一审判决），撤销被诉决定，国家知识产权局重新作出审查决定；某甲公司不服，向本院提起上诉。本院于2023年11月9日立案后，依法组成合议庭，并于2024年9月27日公开开庭审理了本案，于2025年9月22日询问当事人。上诉人某甲公司的委托诉讼代理人王冉、陈曦，被上诉人某乙公司的委托诉讼代理人尹俊亭、朱晓鹏，一审被告国家知识产权局的委托诉讼代理人杜宇到庭参加诉讼。本案现已审理终结。

本案基本事实如下：本专利系名称为“用于电阻式存储器的高速感测”的发明专利，专利权人为某甲公司，专利号为20118002****.7，申请日为2011年5月31日，优先权日为2010年6月1日，授权公告日为2015年9月16日。作为本案审查基础的权利要求共有43项，其中权利要求1、4为：

“1.一种存储器设备，其包含：
感测电路，其包含：
第一放大器级，其经配置以将通过存储器单元的第一电阻式存储器元件的第一电流转换成第一单端输出电压；及
第二放大器级，其经配置以放大所述第一放大器级的所述第一单端输出电压以产生第二单端输出电压，
其中所述第二放大器级包含响应于参考电压的晶体管。

4.根据权利要求1所述的设备，其中所述第二放大器级未经配置以执行差分放大?！?br />2018年8月13日，某乙公司请求国家知识产权局宣告本专利权全部无效。主要理由包括：（一）本专利说明书不符合2008年修正的《中华人民共和国专利法》（以下简称专利法）第二十六条第三款的规定。（二）本专利权利要求1-43不符合专利法第二十六条第四款的规定。（三）本专利权利要求1、14、18、20、21、29、39、41不符合2010年修订的《中华人民共和国专利法实施细则》（以下简称专利法实施细则）第二十条第二款的规定。（四）本专利权利要求1-13、21-28、39-40不符合专利法第三十三条的规定。（五）本专利权利要求1-43不符合专利法第二十二条第二款、第三款的规定。

某乙公司提交了如下证据：

证据2：公开号为CN101221807A的中国发明专利申请公布说明书，公开日为2008年7月16日，其公开了一种半导体存储器、读出放大器电路。半导体存储器器件包括在两条布线之间具有可变电阻元件的存储器单元、读出线以及经由读出线连接到存储器单元的读出放大器电路。读出放大器电路包括差动读出放大器，该差动读出放大器具有第一和第二差动输入，而且将参考电压供应给其第二差动输入。（参见证据2说明书第4、5、7、8、14、15、16、20、21页，图1-19）
证据4：公开号为US2002/0000840A1的美国专利申请公布说明书及其中文译文，公开日为2002年1月3日，其公开了一种具有扩展供应电压范围的感测放大器，具体公开了：如图3中所示，感测放大器包括具有共同源极放大器的比较器电路CMP，所述放大器是通过简单N沟道MOS晶体管N2和充当有源负载的相关P沟道MOS晶体管P5而获得。PMOS晶体管P5类似于PMOS晶体管P2维持于饱和。在此说明性实施方案中，PMOS晶体管P5由电压VDREF驱动，所述电压也驱动PMOS晶体管P2。另外，存在由启用信号EN驱动的P沟道MOS晶体管P6。当启用信号EN为低时，PMOS晶体管P6允许将形成共同源极放大器的晶体管漏极带到供应电压电平VDD。如图3中所示，如果参考电流IREF在由通过如上所述的稳态电流IP获得的极化电压VB控制的具有NMOS晶体管N1的分支中镜像，那么其将迫使用于所选单元的位线BL的极化。因此，以下两种事件会随之发生。（1）所选单元的电流高于参考电流IREF，因此晶体管N1将其输出电压VDCELL自动调整到极接近于预定电压电平VBL的电平。（2）单元在其浮动栅极上捕获负电荷，因此单元电流相对于参考电流IREF极低，且因此晶体管N1的漏极上的输出电压VDCELL由电流IREF充电直到供应电压电平VDD。（参见证据4中文译文[0005][0012][0027]-[0030]段，图3）
证据5：公开号为CN1366677A的中国发明专利申请公开说明书，公开日为2002年8月28日，其公开了一种非易失存储器高速读出用基准单元，具体公开的EEPROM非易失性存储器的存储器单元属于浮栅晶体管存储器。

2019年12月4日，国家知识产权局作出被诉决定认为：本专利说明书符合专利法第二十六条第三款的规定；本专利权利要求符合专利法第二十六条第四款的规定；本专利权利要求1、14、18、20、21、29、39、41符合专利法实施细则第二十条第二款的规定；本专利权利要求1、21、39及其各自的从属权利要求符合专利法第三十三条的规定。本专利权利要求1?；ひ恢执娲⑵魃璞?#xff0c;证据2公开了一种半导体存储器、读出放大器电路。本专利权利要求1与证据2相比存在以下区别特征：第二放大器级，其经配置以放大所述第一放大器级的所述第一单端输出电压以产生第二单端输出电压，其中所述第二放大器级包含响应于参考电压的晶体管?；谏鲜銮鹛卣骺梢匀范?#xff0c;本专利权利要求1保护的技术方案实际解决的技术问题是：减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测。本领域技术人员在证据2、证据3、证据4、证据1和本领域的公知常识任意结合的基础上不能显而易见地得到本专利权利要求1?；さ募际醴桨?#xff0c;同时，上述区别特征使本专利权利要求1的技术方案获得了减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟、实现高速感测的有益技术效果。本专利权利要求1相对于证据5和证据3、证据4、证据1、本领域公知常识的任意结合，相对于证据1和证据2、证据3、证据4、证据5、本领域公知常识的任意结合，具有突出的实质性特点和显著的进步，符合专利法第二十二条第二款、第三款的规定。权利要求2-43均符合专利法第二十二条第二款、第三款的规定。国家知识产权局据此决定：维持本专利权有效。

某乙公司不服，向一审法院提起诉讼，请求：撤销被诉决定并判令国家知识产权局重新作出审查决定。事实和理由为：（一）在以证据2为最接近的现有技术的情况下，本专利权利要求1相对于证据2并不存在区别特征。即便依据被诉决定中认定的区别特征，该区别特征解决的技术问题亦并不仅仅在于被诉决定所认定的“减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测”，亦包括“在供应电压较低时如何准确读取”这一技术问题。证据4中已明确记载该技术方案具有上述技术效果，亦已公开相关区别特征，故本专利权利要求1相对于证据2与证据4的结合不具备创造性。（二）在以证据5为最接近的现有技术的情况下，本专利权利要求1相对于证据5的区别特征还包括存储器类型不同。证据5公开的是浮栅晶体管存储器，本专利权利要求1是电阻式存储器。该区别特征属于公知常识，本领域技术人员容易想到。而基于与以证据2为最接近的现有技术的情况相同的理由，被诉决定认定的其他区别特征亦不构成区别特征，且即便其构成区别特征，证据4中亦给出了相应启示。据此，本专利权利要求1相对于证据5与证据4及公知常识的结合不具备创造性。（三）因被诉决定有关其他独立权利要求具备创造性的理由与权利要求1基本相同，而从属权利要求具备创造性的理由则在于其引用的独立权利要求具备创造性，故在权利要求1不具备创造性的情况下，其他权利要求亦不具备创造性。

国家知识产权局一审辩称：被诉决定认定事实清楚，适用法律正确。请求驳回某乙公司的诉讼请求。

某甲公司一审述称：被诉决定认定事实清楚，适用法律正确。请求驳回某乙公司的诉讼请求。

一审法院经审理基本认定了上述事实。

一审法院认为：

（一）本专利权利要求1相对于证据2与证据4的结合是否具备创造性

被诉决定认定本专利权利要求1与证据2相比存在以下区别特征，“第二放大器级，其经配置以放大所述第一放大器级的所述第一单端输出电压以产生第二单端输出电压，其中所述第二放大器级包含响应于参考电压的晶体管”。上述表述仅引用了权利要求1中的内容，并未涉及证据2中的对应技术特征。庭审中，国家知识产权局表示上述区别特征的实质在于，本专利的第二放大器级的输入电压“仅”为第一单端输出电压，但证据2中对应的放大器则除该电压外，亦输入参考电压，并将两数值进行比较。某甲公司认可国家知识产权局这一观点，而某乙公司则认为本专利中的输入电压并非“仅”为第一单端输出电压，其同时亦包括参考电压。

上述争议的实质在于各方当事人对于本专利权利要求1具有不同理解。由本专利权利要求1前述限定内容可以看出，针对第二放大器级中的电压，权利要求1从以下两方面作了限定：其一，其具有放大第一单端输出电压的效果，即“放大所述第一放大器级的所述第一单端输出电压以产生第二单端输出电压”；其二，该放大器中具有参考电压，即“第二放大器级包含响应于参考电压的晶体管”。由此可以看出，权利要求1中并未限定第二放大器级输入的“仅”为第一单端输出电压。不仅如此，本专利虽然并未明确记载第二放大器级需要输入参考电压，但因其明确记载了第二放大器级需要有参考电压，而参考电压不可能是第二放大器级自行产生，仅可能由外部输入，故这一限定意味着本专利权利要求1亦同时需要输入参考电压?；诖?#xff0c;国家知识产权局有关本专利权利要求1的理解有误，相应地，其基于这一理解而认定的“本专利第二放大器级的输入电压‘仅’为第一单端输出电压，但证据2中对应的放大器除该电压外，亦输入参考电压”这一区别特征并不存在，一审法院予以纠正。

实际上，对于权利要求1的上述解释亦可从引用权利要求1的权利要求4的限定中得以验证。如果被诉决定对权利要求1的理解正确，则意味着应将本专利权利要求1理解为隐含限定了第二放大器级并非差分式放大器，但这一限定内容实则被明确记载在权利要求4中，即“所述第二放大器级未经配置以执行差分放大”。因通常情况下，从属权利要求的?；し段∮诙懒⑷ɡ?#xff0c;故权利要求1与权利要求4之间这一引用关系亦可在一定程度上得出被诉决定对于权利要求1中的第二放大器级进行了限缩解释这一结论。

基于上述分析，国家知识产权局所认定的区别特征并不构成区别特征?；谎灾?#xff0c;本专利权利要求1相对于证据2并无区别特征。在二者并无区别特征的情况下，本专利权利要求1相对于证据2不可能具备创造性。被诉决定有关本专利权利要求1具备创造性的认定有误，一审法院予以纠正。

退一步讲，即便被诉决定有关区别特征的认定并无不当，其有关本专利权利要求1具备创造性的结论一审法院亦不认同。依据被诉决定认定的区别特征，本专利权利要求1与证据2的区别特征实质在于放大器的类型不同。尽管类型不同，却均属于常用的放大器类型，本领域技术人员均知晓其各自的优缺点。其中，证据2的差分式放大器虽然准确性较好，但速度较慢，本专利的第二放大器虽然解决了速度问题，但存在准确性问题。对于本领域技术人员而言，因其熟知每一类型放大器的优缺点，故最终选择哪种放大器类型，取决于在具体技术方案中对于技术效果的取舍。如果不追求准确性但追求速度，本领域技术人员会使用本专利中的第二放大器类型。反之，则会选择差分式放大器。由此可知，本专利权利要求1仅是在舍弃了准确性这一技术效果的情况下选择了第二放大器级，这一选择无需付出创造性劳动。

综上，被诉决定有关本专利权利要求1相较于证据2与证据4的结合具备创造性的认定有误，一审法院予以纠正。某乙公司相关主张成立，一审法院予以支持。

（二）本专利权利要求1相对于证据5与证据4、公知常识的结合是否具备创造性

被诉决定认定本专利权利要求1相对于证据5的区别特征在于，“权利要求1具有电阻式存储器元件，以及用于电阻式存储器元件的第一、二放大器级，而证据5没有公开电阻式存储器元件、第一、二放大器级”。庭审中，国家知识产权局确认该区别特征的实质体现在如下两方面：1.本专利为电阻式存储器，而证据5为浮栅晶体管存储器；2.本专利的第二放大器级的输入电压“仅”为第一单端输出电压，但证据5中对应的放大器则除该电压外，亦输入参考电压，并将两数值进行比较。该区别特征2与本专利权利要求1相对于证据2的区别特征相同。

针对区别特征1，庭审中，各方当事人对于该两种存储器属于常见的存储器并无异议。对于存储器设备类产品，本领域技术人员基于常规需求，将证据5中的浮栅晶体管替换为本专利的电阻式存储器元件，并将其适用于存储器设备中，无需付出创造性劳动。对于区别特征2，基于前文分析可知，该区别特征的获得亦无需付出创造性劳动。据此，被诉决定有关本专利权利要求1相对于证据5与证据4及公知常识的结合具备创造性的结论缺乏依据，一审法院不予支持。

（三）其他权利要求是否具备创造性

对于其他独立权利要求，因被诉决定认定其他独立权利要求具备创造性的理由与权利要求1相同，而在一审法院已认定被诉决定有关权利要求1具备创造性的理由不能成立的情况下，被诉决定中有关其他独立权利要求具备创造性的理由亦不成立。

对于从属权利要求，因被诉决定有关其具备创造性的认定是以独立权利要求具备创造性为前提，在一审法院已认定独立权利要求不具备创造性的情况下，国家知识产权局应对从属权利要求中的附加技术特征是否显而易见进行判断，并基于此对从属权利要求是否具备创造性重新予以认定。

一审法院依据专利法第二十二条第三款、《中华人民共和国行政诉讼法》第七十条第二项之规定，判决：“一、撤销被告国家知识产权局作出的第42591号无效宣告请求审查决定；二、被告国家知识产权局重新作出无效宣告请求审查决定。案件受理费人民币100元，由被告国家知识产权局负担?！?/p>

某甲公司不服一审判决，向本院提起上诉，请求：1.撤销一审判决；2.驳回某乙公司的诉讼请求。事实和理由为：（一）一审判决审理程序违法，主动引入了没有任何证据支撑的“公知常识”来评述区别特征，其对于权利要求1的创造性实质上使用的是证据2结合公知常识的评述方式。然而该证据使用方式既超出了被诉决定的范围，也已经超出了某乙公司所主张的无效请求范围，明显超出了审理被诉决定合法性的法定范围。（二）本专利的各个独立权利要求所包含的技术特征不同，?；し段б裁飨圆煌?#xff0c;彼此之间不存在引用关系，且相对于对比文件的区别特征也不相同。然而，一审判决错误认定“被诉决定认定其他独立权利要求具备创造性的理由与权利要求1相同”。权利要求1已经明确限定了第一放大器级的输出为第一“单端”输出电压，且明确限定了第二放大器级来放大该第一“单端”输出电压以产生第二“单端”输出电压。根据本专利说明书中明确定义的内容，权利要求1已经通过“放大所述第一放大器级的所述第一单端输出电压以产生第二单端输出电压”明确限定了第二放大器级并非差分放大。一审判决错误对权利要求1的保护范围作出了不合理的扩大化解释，对权利要求1技术方案中的“参考电压”的理解也完全错误，第二放大器级利用参考电压来设置平衡点，而并非将参考电压作为差分放大器的一个被比较的输入信号。（三）权利要求1的技术方案相对于证据2实际解决的技术问题是，如何在保证读取数据的准确性的基础上，减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测。一审判决却将技术问题错误地上位概括为，如何选择放大器的类型。证据4无法给出解决本专利技术问题的任何教导或启示，因此权利要求1相对于证据2和证据4的结合具备创造性。（四）权利要求1的技术方案相对于证据5实际解决的技术问题是，如何在保证读取数据的准确性的基础上，减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测。证据5和证据4均是用于浮栅晶体管存储器的方案，而浮栅晶体管存储器与电阻式存储器的根本工作原理和结构完全不同，因此各自的读取方式也是完全不同，本领域技术人员基于证据5和证据4的技术内容完全不会想到包含区别特征的用于电阻式存储器元件的技术方案。权利要求1相对于证据5、证据4及公知常识的结合具备创造性。

某乙公司辩称：一审判决认定事实清楚，适用法律正确。请求驳回上诉，维持原判。

国家知识产权局述称：（一）本专利权利要求1中的特征“第二放大器级，其经配置以放大所述第一放大器级的所述第一单端输出电压以产生第二单端输出电压”明确限定了第二放大器级放大第一单端输出电压以产生第二单端输出电压，即第二放大器级的输入为第一单端输出电压，也即第二放大器级的输入为单输入，权利要求1没有将第二放大器的输入限定为第一单端输出电压和参考电压。一审判决对放大器级的输入的理解过于宽泛。（二）一审判决在没有考虑技术特征“所述第二放大器级包含响应于参考电压的晶体管”在整个技术方案中的实际作用的情况下，仅因权利要求限定的技术方案简单，第二放大器级为常用的放大器类型，就否定权利要求的创造性，该认定是不适当的。权利要求1与证据2相比客观存在以下区别特征：第二放大器级，其经配置以放大所述第一放大器级的所述第一单端输出电压以产生第二单端输出电压，其中所述第二放大器级包含响应于参考电压的晶体管。因此，被诉决定对权利要求1?；さ募际醴桨敢约爸ぞ?公开的技术方案的内容认定正确，对权利要求1与证据2存在的区别特征认定正确。（三）本领域技术人员熟知数字逻辑电路与模拟电路用途并不相同，两者面临的技术问题不相同，设计思路也不同。虽然晶体管、电阻、电容等元器件均是两者常用的元器件，在两者的电路中的符号相同，但晶体管、电阻、电容等元器件构成的电路在两者中的作用不同，各种元器件的参数的设置也均不相同。即便两者的电路图会出现局部相同或相似的设计，但上述设计的作用不相同，涉及的各种元器件的参数的设置不相同，即上述设计实质上并不相同。本领域技术人员不能得到技术启示，将两者电路图中局部相同或相似的设计进行互换，这样的互换显然违背本领域技术人员的认知，对于本领域技术人员来说不是显而易见的。一审判决适用法律错误，被诉决定适用法律正确，审查结论正确。

本院二审期间，某甲公司向本院提交了一份新的证据：《CMOS集成放大器设计》节选，王自强编著，国防工业出版社2007年1月第一版第一次印刷，拟证明本专利采用的技术方案与对比文件具有实质性的区别。某乙公司的质证意见为：认可其真实性、合法性、关联性，不认可其证明目的。国家知识产权局的质证意见为：认可其真实性、合法性、关联性。

某乙公司向本院提交了一组新的证据：1.本专利无效程序口审笔录；2.本专利无效程序中某甲公司提交的意见陈述；3.《半导体电路（上册）》节选，南京邮电学院、北京邮电学院编，人民邮电出版社1979年9月第1版第1次印刷；4.《模拟电子技术基础》节选，江路明主编，江西高校出版社2008年8月第1版第1次印刷；5.《现代电子技术》节选，席德勋编著，高等教育出版社1999年9月第1版第1次印刷；6.本专利审查历史。该组证据拟证明：一审判决对本专利权利要求1的解释正确，对权利要求1?；し段У娜隙ㄕ?#xff0c;对权利要求1创造性的认定正确。某甲公司的质证意见为：认可上述证据的真实性、合法性、关联性，不认可其证明目的。国家知识产权局的质证意见为：认可上述证据的真实性、合法性、关联性，不认可其证明目的。

本院认证意见为：双方二审中提交的证据具备真实性、合法性、关联性，其对于待证事实的证明力，本院将综合全部在案证据予以判断。

本院经审理查明：一审法院认定的事实基本属实，本院予以确认。

本院另查明：本专利说明书[0004]段记载：在此系统中，分配使感测放大器通过产生达到指示所存储数据值的阈值的输出电压而对数据电流及参考电流作出响应的时间。随着存储器装置越来越小型化（且因此可越来越倾向于存储器装置的生产的工艺变化），表示作为高数据值的所存储数据值与作为低数据值的所存储数据值之间的差的阈值可增加以适应增加的噪声及工艺变化。较高阈值导致感测放大器产生数据输出的较大时间，从而导致读取数据值的较长时间及计算系统的处理吞吐量减少。

本专利说明书[0018]段记载：参看图1，描绘感测电路的第一说明性实施例，且将其大体上表示为100。感测电路100包括耦合到第二放大器级130的第一放大器级110。第一放大器级110经配置以将通过存储器单元112的第一电阻式存储器元件114的电流116转换成第一“单端”输出电压120。与包括彼此进行比较的两个信号的差分信号相比较，可在将信号与固定电压（例如接地电压）进行比较时将所述信号称为单端的。第二放大器级130经配置以放大第一放大器级110的第一单端输出电压120以产生第二单端输出电压140。第二单端输出电压140指示第一电阻式存储器元件114的数据值。响应于第一电阻式存储器元件114具有第一电阻，第二单端输出电压140大致上等于接地电压。另一方面，响应于第一电阻式存储器元件114具有第二电阻，第二单端输出电压140大致上等于第二放大器级130的供应电压。

本专利说明书[0019]段记载：第二放大器级130经配置以放大第一单端输出电压120，而非放大差分信号，以产生输出?；痪浠八?#xff0c;第二放大器级130经配置以执行单端输出电压放大，而非差分放大。在不等待相应输入电压安定且不等待输出电压从参考电压分歧（如在差分放大器中所执行）的情况下，电流116的改变快速地导致第一单端输出电压120的改变。电流116及单端输出电压120的改变又导致第二单端输出电压140的立即或大致上立即改变。因此，第二放大器级130可使得能够在无与差分感测放大器或其他差分电压比较相关联的延迟的情况下产生第二单端输出电压140。
本专利说明书[0021]段记载：第二放大器级130通过在不执行差分放大操作的情况下放大第一单端输出电压120而产生第二单端输出电压140。举例来说，第二放大器级130可经配置以放大第一单端输出电压120作为轨到轨输出信号。因而，当第一单端输出电压120的第一值对应于存储器单元112的第一数据值时，第二放大器级130在近似供应到第二放大器级130的供应电压的电压下产生第二单端输出电压140。相反地，当第一单端输出电压120的第二值对应于存储器单元112的第二数据值时，第二放大器级130在近似接地电压的电压下产生第二单端输出电压140。

本专利说明书[0022]段记载：第二放大器级130响应于第一单端输出电压120而产生第二单端输出电压140。因此，与可通过基于差分放大而产生输出电压的系统实现的放大相比，第二放大器级130可在产生输出时实现较快速放大。差分放大系统可在产生输出信号时强加延迟以允许有充分的时间来建立输入电压电平之间的差分。强加延迟减少了可在电压电平之间的差分稳定化之前引起的寄生输出信号。相反地，因为第二放大器级130经配置以放大第一单端输出电压120，所以不强加延迟来建立差分输出。可在将电流116施加到存储器单元112的电阻式存储器元件114之后立即或大致上立即产生第二单端输出电压140。因此，与包括差分感测放大器或以另外方式将放大器级的输出与参考电压进行比较的放大器级相比，第二放大器级130可提供较快速响应。

本专利说明书[0026]段记载：相反地，即使从第一单端输出电压120中的平衡值的移位（如参看图4进一步描述）未超越可落在差分放大器的电压偏移内的范围，第二放大器级130也对第一单端输出电压120的任何改变作出响应。举例来说，如果第一单端输出电压120的第一值对应于存储于电阻式存储器元件114处的第一数据值且第一单端输出电压120的第二值对应于存储于电阻式存储器元件114处的第二数据值，则第一电流116的改变可起始从第一单端输出电压120的平衡点的立即改变，即使在第一值与第二值之间的差分小于差分放大电压偏移时也是如此。第二放大器级130可替换常规差分放大器，且可消除由于使用差分放大器而有关的偏移/差分问题。

证据4说明书[0006]段记载：在EEPROM存储器中，通过具有浮动栅极的晶体管来存储数据。[0012]段记载：本发明的目的是克服上文提到的缺陷且提供具有简单比较器方案的感测放大器，其在扩展电压范围上具有良好切换性能。[0027]段记载：如图3中所示，感测放大器包括具有共同源极放大器的比较器电路CMP，所述放大器是通过简单N沟道MOS晶体管N2和充当有源负载的相关P沟道MOS晶体管P5而获得。PMOS晶体管P5类似于PMOS晶体管P2维持于饱和。在此说明性实施方案中，PMOS晶体管P5由电压VDREF驱动，所述电压也驱动PMOS晶体管P2。另外，存在由启用信号EN驱动的P沟道MOS晶体管P6。当启用信号EN为低时，PMOS晶体管P6允许将形成共同源极放大器的晶体管漏极带到供应电压电平VDD。[0034]段记载：在读取操作的开始，信号NCHARGE变为高，且使晶体管N5变为传导。因此，比较器CMP的输出COUT被预充电到大约反相器INV2的阈值电压。如果比较器CMP的输入电压高于阈值电压（即当读取在浮动栅极上截留有负电荷的单元时），输出已经接近于反相器INV2的阈值，因此存在更快的切换。在读取操作结束时，信号NCHARGE被复位以将反相器限制于仅在“感测”时间期间消耗。

本院认为：本案系发明专利权无效行政纠纷。本专利优先权日在2008年修正的专利法施行日（2009年10月1日）之后、2020年修正的专利法施行日（2021年6月1日）之前，本案应适用2008年修正的专利法。根据当事人的诉辩意见，本案二审争议焦点问题是：（一）一审判决是否违反了请求原则；（二）本专利是否具备创造性。

（一）一审判决是否违反了请求原则

某甲公司上诉主张，一审判决以证据2结合公知常识评述本专利权利要求1的创造性，超出某乙公司所主张的无效请求范围，也超出审理被诉决定合法性的法定范围。对此，本院认为，首先，一审判决认为，被诉决定关于本专利权利要求1相较于证据2与证据4的结合具备创造性的结论有误，其理由在于本专利权利要求1相对于证据2并无实质性区别特征。其次，在以证据2为最接近的现有技术时，被诉决定也记载“目前没有证据表明上述区别特征是本领域的公知常识”“权利要求1相对于证据2、证据3、证据4、证据1和本领域的公知常识任意结合具有突出的实质性特点和显著的进步”，上述证据组合亦为某乙公司所主张。因此，一审判决并未超出某乙公司所主张的无效请求证据组合范围和被诉决定的证据组合范围。某甲公司的相关上诉主张不能成立，本院不予支持。

（二）本专利是否具备创造性

某甲公司上诉主张，一审判决对权利要求保护范围的解释存在错误，本专利权利要求1分别相对于证据2、证据4的结合和证据5、证据4、公知常识的结合具备创造性，同理，其他独立权利要求相对于某乙公司主张的现有技术亦具备创造性。对此，本院评析如下：

第一，关于权利要求的解释。争点主要在于如何理解被诉决定认定的本专利权利要求1与证据2的区别特征“第二放大器级，其经配置以放大所述第一放大器级的所述第一单端输出电压以产生第二单端输出电压，其中所述第二放大器级包含响应于参考电压的晶体管”。

《最高人民法院关于审理专利授权确权行政案件适用法律若干问题的规定（一）》第二条第一款规定：“人民法院应当以所属技术领域的技术人员在阅读权利要求书、说明书及附图后所理解的通常含义，界定权利要求的用语。权利要求的用语在说明书及附图中有明确定义或者说明的，按照其界定?！?/p>

从本专利整体技术构思来看，本专利主要解决的是其说明书背景技术部分[0004]段记载的电阻式存储器装置的单元存在“读取数据值的较长时间及计算系统的处理吞吐量减少”的问题。在本专利说明书[0018][0019]段等处给出的技术方案为，感测电路100包括第二放大器级130的第一放大器级110，第一放大器级110将电流116转换成第一单端输出电压120，第二放大器级130放大第一单端输出电压120，而非放大差分信号。其中，本专利说明书[0018]段记载：“与包括彼此进行比较的两个信号的差分信号相比较，可在将信号与固定电压（例如接地电压）进行比较时将所述信号称为单端的?！鄙鲜瞿谌菝魅分赋稣攵缘ザ耸涑龅缪沟姆糯蟆安⒎欠糯蟛罘中藕拧薄２捎蒙鲜黾际醴桨复锏降募际跣Ч谒得魇閇0021]-[0023][0026]-[0028]段等处也进行了明确记载：与包括差分感测放大器或以另外方式将放大器级的输出与参考电压进行比较的放大器级相比，第二放大器级130可提供较快速响应；可消除由于使用差分放大器而有关的偏移/差分问题。在此基础上，本专利说明书对“参考电压”也进行了具体描述。根据本专利说明书[0031][0033]段的记载，结合整体电路可知，该参考电压用于控制P-FET负载晶体管252关断和导通，即P-FET负载晶体管响应于参考电压关断或导通。

本专利权利要求1体现了上述技术构思，其清楚地限定了感测电路及其包括第一、二放大器级与其所要实现的功能，也具体限定了第一单端输出电压由第二放大器级放大产生第二单端输出电压。首先，权利要求1中明确记载了“单端”输出电压，其并非本领域的常用术语。根据本专利说明书[0018]段对于“单端”的解释可知，此处的第一放大器级的第一单端输出电压以及第二放大器放大产生的第二单端输出电压是不进行差分比较的信号，是有别于差分放大的。由此可见，“差分放大”的相关内容已经通过权利要求1记载的内容予以排除。其次，权利要求1的记载亦符合本专利的发明目的。本专利通过第二放大器级执行单端输出电压放大，在不等待相应输入电压安定且不等待输出电压从参考电压分歧的情况下，电流的改变快速地导致第一单端输出电压的改变。电流及单端输出电压的改变又导致第二单端输出电压的改变，第二放大器级可以产生第二单端输出电压，从而解决对应的技术问题。再次，本专利相对于现有技术的改进并不是仅仅简单地将现有电阻式存储器元件的感测电路的差分式放大器替换为单端放大器，而是采用了不同的技术构思，将现有技术中作为差分式放大器输入的参考电压，以非差分式放大器输入的方式引入到放大器级中。权利要求1中“第二放大器级，其经配置以放大所述第一放大器级的所述第一单端输出电压以产生第二单端输出电压，所述第二放大器级包含响应于参考电压的晶体管”体现了上述技术方案。复次，本专利说明书记载的技术方案也没有将参考电压作为第二放大器级的输入。本专利说明书的记载与权利要求1记载的“所述第二放大器级包含响应于参考电压的晶体管”的限定相一致，即权利要求1的“所述第二放大器级包含响应于参考电压的晶体管”中的参考电压不作为第二放大器级的输入，而是采用其他方式施加到第二放大器级，第二放大器级的晶体管响应于参考电压?？杉?#xff0c;从实现本专利的发明目的角度出发，上述有关“差分放大”“参考电压”的内容与权利要求1的限定相一致。最后，权利要求1明确限定了第二放大器级的输入为单输入，执行的是非差分式放大，权利要求4的附加技术特征进一步明确限定第二放大器级为非差分式放大器，权利要求4是对权利要求1的进一步限定，在逻辑上也不能得到权利要求1的第二放大器级包括了执行差分放大的方案。

第二，以证据2为最接近的现有技术时，权利要求1与证据2相比存在以下区别特征：第二放大器级，其经配置以放大所述第一放大器级的所述第一单端输出电压以产生第二单端输出电压，其中所述第二放大器级包含响应于参考电压的晶体管?；谝陨锨鹛卣?#xff0c;权利要求1?；さ募际醴桨甘导式饩龅募际跷侍馐?#xff1a;减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测。被诉决定认定无误，本院予以确认。某乙公司的相关主张没有事实根据，本院不予支持。

关于技术启示。首先，由于证据2使用了差分放大电路进行差分放大，其无法避免执行差分放大产生的延迟，因此证据2没有公开权利要求1的第二放大器级，即证据2没有公开上述区别特征，本领域技术人员也不能从中获得任何相关的技术启示。

其次，根据证据4说明书[0006][0012][0027][0034]段的记载，证据4公开了一种具有扩展供应电压范围的感测放大器，感测放大器包括具有共同源极放大器的比较器电路CMP，所述放大器是通过简单N沟道MOS晶体管N2和充当有源负载的相关P沟道MOS晶体管P5而获得。PMOS晶体管P5类似于PMOS晶体管P2维持于饱和。在此说明性实施方案中，PMOS晶体管P5由电压VDREF驱动，所述电压也驱动PMOS晶体管P2。另外，存在由启用信号EN驱动的P沟道MOS晶体管P6。当启用信号EN为低时，PMOS晶体管P6允许将形成共同源极放大器的晶体管漏极带到供应电压电平VDD。证据4说明书[0034]段记载：在读取操作的开始，信号NCHARGE变为高，且使晶体管N5变为传导。因此，比较器CMP的输出COUT被预充电到大约反相器INV2的阈值电压。如果比较器CMP的输入电压高于阈值电压（即当读取在浮动栅极上截留有负电荷的单元时），输出已经接近于反相器INV2的阈值，因此存在更快的切换。在读取操作结束时，信号NCHARGE被复位以将反相器限制于仅在“感测”时间期间消耗。证据4公开的技术方案是用于只读存储器（ROM）、可擦除可编程只读存储器（EPROM）、电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）和电可更改只读存储器（EAROM）的非易失性存储器的存储器单元读出放大器。只读存储器（ROM）、可擦除可编程只读存储器（EPROM）、电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）和电可更改只读存储器（EAROM）的存储器单元属于浮栅晶体管存储器，其是通过改变存储单元晶体管的阈值来表示存储数据“0”或数据“1”的逻辑状态，浮栅晶体管存储器的电路实质上为数字逻辑电路。权利要求1的电阻式存储器是通过改变存储单元的电阻值，呈现出高电阻区间和低阻值区间来表示存储数据“0”或数据“1”。电阻式存储器实质上是模拟电路，其输出为一段高电平区间或一段低电平区间的模拟信号。本领域技术人员知晓数字逻辑电路与模拟电路用途并不相同，两者面临的技术问题不相同，两者的设计思路和工作原理完全不同，相应的，两者的感测读取方式也不相同。虽然晶体管、电阻、电容等元器件均是两者常用的元器件，在电路中的符号相同，但浮栅晶体管存储器和电阻式存储器的晶体管、电阻、电容等元器件构成的电路在两者中的作用不同，各种元器件的参数的设置也均不相同。即便两者的电路图会出现局部相同或相似的设计，但上述设计的作用不相同，涉及的各种元器件的参数的设置不相同，即上述设计实质上并不相同。因此，证据4没有公开权利要求1的第二放大器级，从而没有公开上述区别特征，本领域技术人员也不能从中获得任何相关的技术启示。

第三，以证据5为最接近的现有技术时，证据5公开的技术方案是用于EEPROM非易失性存储器的存储器单元读出放大器，本专利权利要求1的技术方案是用于电阻式存储器元件的放大器。本专利权利要求1与证据5的放大器虽然都用于存储器单元，但两者针对的存储器单元类型不同。证据5公开的EEPROM非易失性存储器的存储器单元属于浮栅晶体管存储器，而本专利权利要求1的存储器单元属于电阻式存储器。如前所述，浮栅晶体管存储器和电阻式存储器存储数据的工作原理完全不同，相应的，两者的感测读取方式也不相同，两者面临的技术问题并不相同，导致两者的整体技术方案的构思不同，采用的电路结构不相同。证据5的技术方案不用于电阻式存储器，其解决的技术问题与权利要求1所解决的减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟、实现高速感测的技术问题不同，两者采用的技术手段不同，取得的技术效果也不相同。因此，权利要求1与证据5的区别特征在于：权利要求1具有电阻式存储器元件，以及用于电阻式存储器元件的第一、二放大器级，而证据5没有公开电阻式存储器元件、第一、二放大器级?；谏鲜銮鹛卣?#xff0c;权利要求1技术方案实际解决的技术问题是：减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测。如前所述，证据4并没有公开上述区别特征，某乙公司也没有提交证据证明上述区别特征属于本领域的公知常识。故本专利权利要求1相对于证据5、证据4和本领域公知常识的结合具备创造性。一审判决对此认定错误，本院予以纠正。
鉴于某乙公司关于其他权利要求不具备创造性的理由与权利要求1的理由相同，经审查，被诉决定认定并无不当，本院不再赘述。

综上所述，某甲公司的上诉请求成立，应予支持。一审判决认定事实和适用法律错误，应予撤销。依照《中华人民共和国行政诉讼法》第六十九条、第八十九条第一款第二项之规定，判决如下：
一、撤销北京知识产权法院（2020）京73行初3072号行政判决；
二、驳回某电脑贸易（上海）有限公司的诉讼请求。
一审案件受理费人民币100元，由某电脑贸易（上海）有限公司负担。二审案件受理费人民币100元，由某电脑贸易（上海）有限公司负担。某有限公司已预交人民币100元，应退还人民币100元。某电脑贸易（上海）有限公司应补交人民币100元。
本判决为终审判决。

审 判 长　张新锋
审 判 员　张　倞
审 判 员　禹海波
二〇二五年十一月二十六日
法官助理　骆芳菲
书 记 员　马　弢
书 记 员　滕禹含